Analytische Eigenschaften der LED-Chip
12.09.2011
LED-Chip ist ein Solid-State-Halbleiterbauelementen, die direkt in Strom umgewandelt werden kann, um Licht. LED ist das Herz eines Halbleiterchips, den Chip an einem Ende auf einer Konsole, ist ein Ende negativ, das andere Ende an das Stromnetz angeschlossen positiv, so dass die gesamte Chip-Epoxidharz vergossen wird.
Gemeinsame LED-Chip verfügt über:
Eins, MB-Chip
Definition: Metal Bonding (Metallhaftung)-Chip, die Chips sind UEC Das patentierte Produkt.
Features:
1: hohe thermische Koeffizient des Materials --- Si als Substrat, Hitze leicht.
2: Die Metallschicht Bindung (Wafer-Bonding) Epitaxie-Schicht und Substrat und reflektierten Photonen, um Substrat-Absorption zu vermeiden.
3: leitfähigen Si-Substrat anstelle von GaAs-Substrat, gute Wärmeleitfähigkeit (Wärmeleitfähigkeit Differenz von 3 bis 4 mal), mehr zu High-getrieben aktuellen Feldes angepasst.
4: Der Boden der Metall-reflektierende Schicht, helfen, um die Helligkeit und Wärme zu verbessern
5: Die Größe erhöht werden kann, verwendet High-Power Bereich, z. B.: 42mil MB
Zwei, GB-Chip
Definition: Glue Bonding (Klebebindung)-Chip, Chip der patentierten Produkte sind UEC
Features:
1: transparent Saphir-Substrat statt Absorption der GaAs-Substrat, die optische Leistung aus der traditionellen AS (Absorbable Struktur) mehr als 2 mal den Chip, ähnlich dem Saphir-Substrat von GaP TS-Chip.
2: Der Chip ist von Licht umgeben, mit ausgezeichneten Pattern
3: Die Helligkeit betrifft, die allgemeine Helligkeit über TS-Chip (8.6mil)
4: Zwei-Elektroden-Struktur, und ihre Beständigkeit gegen hohe Strom in der Elektrode etwas weniger in der TS einzigen Chip
Drei, AS-Chips
Definition: Absorbable Struktur (Substrat Absorption)-Chip;
AS-Chip, speziell die AS UEC-Chip, wie zB: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR, 709SYM-VR, etc.
Features:
1: quartären Chip, hergestellt mit MOVPE und Helligkeit im Vergleich zu herkömmlichen Chips auf Licht
2: Die Zuverlässigkeit Exzellente
3: breite Palette von Anwendungen
Vier, TS-Chip
Definition: transparente Struktur (transparenten Substrat)-Chip, der von HP patentierten Produkt ist.
Features:
1: Chip-Fertigung komplexer, weit höher als der AS geführt
2: Zuverlässigkeit Exzellenz
3: transparent GaP-Substrat, kein Licht absorbiert, hohe Helligkeit
4: breite Palette von Anwendungen
Gemeinsame LED-Chip verfügt über:
Eins, MB-Chip
Definition: Metal Bonding (Metallhaftung)-Chip, die Chips sind UEC Das patentierte Produkt.
Features:
1: hohe thermische Koeffizient des Materials --- Si als Substrat, Hitze leicht.
2: Die Metallschicht Bindung (Wafer-Bonding) Epitaxie-Schicht und Substrat und reflektierten Photonen, um Substrat-Absorption zu vermeiden.
3: leitfähigen Si-Substrat anstelle von GaAs-Substrat, gute Wärmeleitfähigkeit (Wärmeleitfähigkeit Differenz von 3 bis 4 mal), mehr zu High-getrieben aktuellen Feldes angepasst.
4: Der Boden der Metall-reflektierende Schicht, helfen, um die Helligkeit und Wärme zu verbessern
5: Die Größe erhöht werden kann, verwendet High-Power Bereich, z. B.: 42mil MB
Zwei, GB-Chip
Definition: Glue Bonding (Klebebindung)-Chip, Chip der patentierten Produkte sind UEC
Features:
1: transparent Saphir-Substrat statt Absorption der GaAs-Substrat, die optische Leistung aus der traditionellen AS (Absorbable Struktur) mehr als 2 mal den Chip, ähnlich dem Saphir-Substrat von GaP TS-Chip.
2: Der Chip ist von Licht umgeben, mit ausgezeichneten Pattern
3: Die Helligkeit betrifft, die allgemeine Helligkeit über TS-Chip (8.6mil)
4: Zwei-Elektroden-Struktur, und ihre Beständigkeit gegen hohe Strom in der Elektrode etwas weniger in der TS einzigen Chip
Drei, AS-Chips
Definition: Absorbable Struktur (Substrat Absorption)-Chip;
AS-Chip, speziell die AS UEC-Chip, wie zB: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR, 709SYM-VR, etc.
Features:
1: quartären Chip, hergestellt mit MOVPE und Helligkeit im Vergleich zu herkömmlichen Chips auf Licht
2: Die Zuverlässigkeit Exzellente
3: breite Palette von Anwendungen
Vier, TS-Chip
Definition: transparente Struktur (transparenten Substrat)-Chip, der von HP patentierten Produkt ist.
Features:
1: Chip-Fertigung komplexer, weit höher als der AS geführt
2: Zuverlässigkeit Exzellenz
3: transparent GaP-Substrat, kein Licht absorbiert, hohe Helligkeit
4: breite Palette von Anwendungen
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